半导体封装制程使用溅镀铜做为UBM层 (Under Bump Metallization),在凸块 (Bump) 与RDL (线路重布,Redistribution Layer) 的电镀制程中让电流均匀导通整片晶圆的晶种层 (Seed Layer)。如果UBM蚀刻不完全,将造成电性短路 (Short Circuit) 或漏电流 (Leakage Current);如果UBM蚀刻过度,将造成凸块底切 (undercut) 或是RDL线宽过窄 (CD loss) 问题,影响电子元件可靠度。
添鸿科技提供多款高品质的铜蚀刻液,满足一般RDL、Copper Pillar Bump、LF Bump制程需求。对于半导体先进封装制程也提供Fine Line RDL、Microbump、Cu/Ni/Au RDL、Ni/Au Pad元件的铜蚀刻液解决方案。
添鸿科技铜蚀刻液分类如下
类别 | 过硫酸盐系列 | 磷酸双氧水系列 | 有机酸系列 |
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适用制程 | Cu RDL | RDL Copper Pillar Bump LF Bump |
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其他特色 | Fine Line RDL Microbump Cu/Ni/Au RDL Ni/Au Pad |